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蓉矽半导体碳化硅MOSFET通过AEC-Q101车规级考核和HV-H3TRB加严可靠性验证
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2024-06-25  阅读:2223次 ]

近日,蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,同时通过了新能源行业头部厂商的导入测试并量产交付。本次考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V,而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了  HV-H3TRB可靠性验证,同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题,蓉矽的产品通过了VGS=+22V/-8V的严苛HTGB考核,表明器件在在更为极端的应用场景中,也有优秀的稳定性和可靠性,可满足新能源汽车、光伏逆变等领域对功率器件的高质量和车规级可靠性要求。

现阶段行业中,AEC-Q101只是车规的门槛,如何保证交给客户的每一个批次、每一颗产品都是符合这个标准的才是考验。蓉矽半导体正在用DFR设计理念,全供应链管理体系,完整的质量管理体系向客户提供高质量、高可靠性SiC功率器件。

蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,最大可持续电流达75A。

产品特点如下:

采用沟道自对准工艺和凸多边形密铺的元胞布局形式,增加沟道密度、降低沟道电阻,提升器件在单位面积内的电流能力;

采用多晶硅网络优化技术,充分降低栅极内阻,提高器件在开关过程中对输入电容的充放电速度,降低器件开关损耗;

采用结终端优化技术,降低器件在结终端的曲率效应,提高器件耐压能力;采用开尔文源的PAD设置,降低封装中的杂散电感;

 VDD=800V时,短路耐受时间>3μs,TO-247-4封装测试开启损耗为635μJ;

得益于密勒电容和多晶硅电阻的优化,蓉矽第一代SiC MOSFET在开关损耗上的表现在所有竞品中处于较好水平。


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