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MCR®ウェーハ
高耐圧、超低リーク電流、低導通電圧降下と高動作温度の性能を備えた理想Siダイオード。

製品情報:MCR®(MOS-Controlled Rectifier)は高耐圧、高動作温度、低リーク電流と低導通電圧降下など理想性能を備え、中低電圧150V〜600Vのアプリケーションに適用し、また高温Ta> 100°Cの場合、より安定した耐圧性を示すことができます。

製品ハイライト:

▪ nAレベル低逆方向リーク電流

▪ 低導通電圧降下と高ブレークダウン電圧

▪ 175℃の高動作温度

▪ 高サージ

▪ 高い信頼性

応用シーンの例:

1.エネルギーストレージ高周波数整流応用シーン:同じ応用条件では、蓉矽MCR®デバイス製品は18.7%のシステム総損失と13°Cのデバイス動作温度を低減させ、出力効率を0.27%増加させます。損失が変わらない場合、周波数を50%増加させることができます。

2.エネルギーストレージのアンチリバース応用シーン:同じ応用条件では、蓉矽MCR®デバイス製品は16%のシステム損失と10°Cの動作温度を低減させ、充電効率を1.25%増加させることができます。

MCR®ウェーハ 選定表

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