言語
1
お問合せ·見積依頼
1
サンプル請求
セールスに関するお問合せ:18208287494

トップ

1

お問合せ·見積依頼

1

サンプル

お問合せ

お見積依頼
サンプル依頼

製品型番
数量
お見積り製品・サンプル 

貴社名

貴社メールアドレス

ご住所

お名前

電話番号

受信後24時間以内に担当者から繰り返しお電話させて頂きます。

送信
蓉矽半導体は順調にPre-Aラウンド投資を獲得
[ 出典:蓉矽半导体  更新時間:2022-08-18  閲覧数:1463 ]

2022年8月、四川省初のワイドバンドギャップ半導体SiCパワーデバイスの設計と開発に専念したハイテク企業、成都蓉矽半導体有限会社(以下「蓉矽半導体」)は順調にPre-Aラウンド投資を獲得しました。今回は維度資本をはじめ、陝西三元航科投資基金パートナー企業(有限パートナー)、南京泰華株式投資管理センター(有限パートナー)などの機構が出資しました。

蓉矽半導体は2019年12月に設立され、IATF 16949品質管理システムに認証された完全なサプライチェーンと経験豊富なグローバルチームを備えます。 2022年6月末に、自主開発した定格電流が12倍を超えた順方向サージSiC NovuSiC® EJBSと高動作温度175˚Cの理想ダイオードMCR®などのシリーズ製品をリリースしました。

その中で、NovuSiC®EJBS™20 Aでは、VFは1.37 Vであり、リーク電流は2μA未満であり、288 Wの電力、最大26 Aの電流に耐えられ、太陽光発電、直流急速充電などの分野に信頼性がより高く、コストがより低いソリューションをもたらします。MCR®製品は安定した高温特性と高アンチサージ電流能力などの優位性を備え、中低電圧150V〜600Vのアプリケーションに適用し、エネルギーストレージ電源とLED照明などの産業級分野で製品性能向上、省電力化に役立ちます。

朗報| 蓉矽半導体と台湾漢磊科技は長期戦略的な協力協定に署名 /attachment/images/2023/02/24/image_1677220971_yveYXqIu.jpg 最近、成都蓉矽半导体有限会社(以下「蓉矽半導体」)および台湾漢磊科技有限会社(以下「漢磊科技」)は、長期戦略的な協力協定に署名し、さらにSiC製造の協力関係を深めます。 2023-02-24 蓉矽半導体は順調にPre-Aラウンド投資を獲得 /attachment/images/2022/08/18/image_1660787715_n2E5CxbB.jpg 2022年8月、四川省初のワイドバンドギャップ半導体SiCパワーデバイスの設計と開発に専念したハイテク企業、成都蓉矽半導体有限会社(以下「蓉矽半導体」)は順調にPre-Aラウンド投資を獲得しました。 2022-08-18 新製品発表丨「Power for the Future」—蓉矽SiC新製品発表会は円満に終了 /attachment/images/2022/07/04/image_1656903128_cK1DODYk.jpg 6月30日、蓉矽半導体有限会社(以下、「蓉矽」)は「オフライン発表会+オンライン同時ライブ中継」で、「Power for the Future」製品発表会を開催し、自主開発したNovuSiC® EJBS™およびSI理想MCR®ダイオードシリーズを発表し、同社の独立自主研究開発能力と製品実力を十分に示しました。 2022-07-04 朗報|蓉矽半導体がハイテック企業認定を取得! /attachment/images/2022/12/09/image_1670554454_oMqjEQTJ.jpg 2022年蓉矽半導体は四川省ハイテック企業認定を取得し、これは栄誉であり、進歩のエンジンでもあります。 2022-12-09 力を蓄えて加速ランニング 蓉矽半導体 NovuSiC® MOSFETを正式にリリース /attachment/images/2022/09/28/image_1664337083_v3qfkfiQ.jpg 9月27日、成都蓉矽半導体有限会社(以下「蓉矽半導体」)はオンライン新製品発表会を行い、第1世代のSiC NovuSiC® MOSFET G1を発表し、第2世代G2の量産スケジュールを予告しました。 2022-09-28