最近、成都蓉矽半导体有限会社（以下「蓉矽半導体」）および台湾漢磊科技有限会社（以下「漢磊科技」）は、長期戦略的な協力協定に署名し、さらにSiC製造の協力関係を深めます。
協定により、漢磊科技はSiCプロセスプラットフォームを公開し、蓉矽半導体からのOEM製作依頼を最優先に します。 これで、蓉矽半導体サプライチェーンの保障が強化され、SiCパワーデバイスの急速な発展が促進され、日増しに生長する市場ニーズを満たし、お客様により多くの価値を生み出せます。
漢磊科技について
漢磊科技は、1985年に中国台湾の新竹科学園区に設立され、世界初のLinear Bipolar ICプロファウンドリで、GaNとSiC のプロファウンドリサービス能力を備え、 4/5インチウェーハ工場一箇所と６インチウェーハ工場二箇所を持ちます。その中に、4インチは1000枚 、5インチは800枚0、6インチはそれぞれ17,000枚と33000枚を毎月生産できます。 SBD/JBSのプラットフォーム良品率は95％を超え、SiC製品は非常に競争力があります。
蓉矽半導体について
2019年に設立された蓉矽半導体は、四川省初のワイドバンドギャップ半導体SiCパワーデバイスの設計と開発に専念しているハイテクノロジー企業です。IATF 16949品質管理システムを基準に、原材料から、エピタキシー、ウェーハ製造、パッケージング組立まで完全的なサプライチェーンを構築し、コスパが高い「NovuSiC」シリーズと高信頼性の「DuraSiC」シリーズ製品を提供しています。 SiCダイオードEJBS™（Enhanced Junction Barrier Schottky Diode）、SiC MOSFET、Si FR MOS（Fast Recovery MOS）および最大動作温度175℃のSi ダイオードMCR(MOS-Controlled Rectifier)などの製品を製作し、太陽光発電、エネルギーストレージ、EV充電器、OBCおよび新エネルギー車などの分野で大幅に応用されます。