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常见问答
Q:EJBS和JBS的区别是什么?

传统的JBS用P型注入格栅对肖特基接触进行电场削弱,以此来降低肖特基接触在阻断状态下的漏电流。但是由于JBS表面为肖特基接触,金属与P型格栅形成了反向偏置的势垒层,因此P型格栅和N型衬底之间无法形成PIN二极管。

但是EJBS采用更加优化的RTA以及P型格栅设计,使得EJBS的PIN二极管可以在更低的电压下导通。这样带来的好处是EJBS在承受浪涌电流时可以及时地进入双极导通状态,降低浪涌电流产生的热累积。

通常情况下,传统JBS IFSM@(10ms, half sine)仅能到达7倍左右,但是EJBS能够大于10倍。

Q:蓉矽SiC MOSFET是平面还是沟槽,技术发展趋势如何?

蓉矽半导体NovuSiC®碳化硅MOSFET G1&G2是平面结构,并将在此基础上推出单片集成的碳化硅MOSFET产品,以改善其体二极管特性。

另外,蓉矽半导体已经拥有沟槽结构MOSFET的国内与国际授权专利,具备沟槽型MOSFET设计开发能力。


Q:相较国外竞品,蓉矽SiC MOSFET的最大优势是什么?

蓉矽半导体初代G1平面型产品的Ron,sp为4.2mΩ·cm2,Qgd=22nC,电性能已经达到国际先进水平。按照技术发展路径,第二代G2的性能将会超越当前国际标准。

在此基础上,蓉矽半导体拥有定制化能力,可以针对客户应用需求进行特定规格的开发。


Q:SiC产品量产和供货能力保障策略有哪些?

蓉矽半导体碳化硅二极管首次流片良率即达97%,碳化硅MOSFET首次流片良率为91.2%,均为一次流片成功。这在半导体行业是非常高的荣誉,也赢得了供应商的高度认可。

其次,蓉矽半导体非常重视供应链资源整合,与衬底、外延及fab厂商均建立了战略合作伙伴关系与技术合作开发,可以确保供应商的优先支持和稳定供货。

从材料到客户,我们将每一环节都集成在完整的流程链条中,确保自下而上和自上而下两种方向的信息均能高效流通和互联,对整个供应链系统进行协调、操作、控制、优化。