蓉矽SiC二极管产品分为高性价比的“NovuSiC^®”和高可靠性的“DuraSiC^®”系列，SiC EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky)正向浪涌超过额定电流12倍；

硅基二极管产品有175˚C高结温的理想二极管MCR^®（MOS-Controlled Rectifier）。

蓉矽SiC MOSFET产品分为高性价比的“NovuSiC^®”和高可靠性的“DuraSiC^®”系列，NovuSiC^®/DuraSiC^®️ MOSFET具有超低动态优值（Ron*Qgd）；

硅基MOSFET产品 FRMOS（Fast Recovery MOSFET)具有超低体二极管反向恢复电流。