产品介绍：1200 V/75 mΩ NovuSiC^® MOSFET在兼顾比导通电阻和栅氧化层电场的同时，通过采用更低栅压驱动，优化栅氧工艺、栅氧化层电场强度，降低结终端的曲率效应等举措来提高器件的鲁棒性和长期可靠性。在电学性能与鲁棒性方面，在 V_GS=16V时，可实现75mΩ的导通电阻；V_GS=18V时，比导通电阻为4.17mΩ.cm²，在国内市场中位居前列。1200V耐压时，JFET区栅氧化层电场强度远小于常规4.0MV/cm的限制，在V_DD=800V条件下，短路耐受时间＞3μs。动态性能达到国际水平。

产品亮点：低比导通电阻、短路耐受时间＞3μs、低开关损耗、低栅压驱动(16V)，高鲁棒性和高可靠性

直流充电桩应用场景：

20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC^®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。

应用领域： 光伏 风电 汽车电子 工业电源 储能系统

蓉矽半导体可靠性保障策略