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NovuSiC® MOSFET
NovuSiC® 是蓉矽半导体的高性价比产品系列,该系列严格按照AEC-Q101标准考核验证。

产品介绍:1200 V/75 mΩ NovuSiC® MOSFET在兼顾比导通电阻和栅氧化层电场的同时,通过采用更低栅压驱动,优化栅氧工艺、栅氧化层电场强度,降低结终端的曲率效应等举措来提高器件的鲁棒性和长期可靠性。在电学性能与鲁棒性方面,在 VGS=16V时,可实现75mΩ的导通电阻;VGS=18V时,比导通电阻为4.17mΩ.cm²,在国内市场中位居前列。1200V耐压时,JFET区栅氧化层电场强度远小于常规4.0MV/cm的限制,在VDD=800V条件下,短路耐受时间>3μs。动态性能达到国际水平。

产品亮点低比导通电阻、短路耐受时间>3μs、低开关损耗、低栅压驱动(16V),高鲁棒性和高可靠性

直流充电桩应用场景:

20kW直流充电模块中,与硅基器件相比,蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%;降低总损耗50%以上;提升效率约2%,峰值可达97%以上。

应用领域: 光伏 风电 汽车电子 工业电源 储能系统

蓉矽半导体可靠性保障策略

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