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蓉矽半导体IIC Shanghai 2023圆满收官!
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2023-03-31  阅读:731次 ]

蓉矽IIC Shanghai 2023火热现场回顾

3月30日,为期两天的2023国际集成电路展览会暨研讨会在上海国际会议中心落下帷幕。作为中国最具影响力的IC和系统设计盛会,IIC 2023聚焦绿色能源、汽车电子、智慧工业等领域,打造了覆盖电子产业的年度嘉年华。蓉矽半导体受邀参加本次展会。

蓉矽半导体致力于碳化硅(SiC)功率器件设计与开发,本次参展携碳化硅二极管EJBS™、碳化硅MOSFET、硅基二极管MCR®与光伏逆变器、便携式储能电源、800V电池平台直流充电桩等先进解决方案,得到了一众参展客户的好评和认可。

蓉矽方案助力电力、交通系统节碳减排

第二届“碳中和”暨绿色能源电子产业可持续发展高峰论坛是本次展会的重要内容,蓉矽半导体碳化硅功率器件在助力电力系统和交通系统节碳减排方面带来了解决方案。

蓉矽半导体副总裁、研发中心总经理高巍博士指出,面对碳排放交易体系带来的机会和挑战,蓉矽半导体一方面通过持续优化产品结构来降低器件损耗、优化系统能耗,减少二氧化碳排放;另一方面在产品研发、供应链管理、运营管理、包装和运输等环节严控排碳成本,助力环保进程。

高巍博士强调,构建以新能源为主体的新型电力系统,需要提高电力供应量和核心技术装备自主化水平,保障电力系统的安全稳定运行。蓉矽半导体坚持自主正向研发,以应用需求为出发点,着力解决市场痛点。在研的2000V碳化硅EJBS™和MOSFET就是专门为1500V光伏和储能系统开发的。

市场上现有的功率半导体器件多为1200V、1700V和3300V这三个耐压等级,应用于1500V系统时,1200V器件需要设计为三电平拓扑,较为复杂;1700V器件则耐压不够,效率低下;3300V器件面临成本过高的问题。因此,针对1500V光伏和储能系统的新需求,蓉矽半导体专门开发了2000V碳化硅EJBS™和MOSFET,采用两电平拓扑,简化系统设计的同时提高了系统效率。随着蓉矽产品化的快速迭代和市场推进,低成本高光伏的产品组合,将为国家的高光伏发电率提供相关效率保障。

关于蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,涵盖设计、晶圆制造和封测等环节,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统,保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。

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