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自主研发,创新突围 | 蓉矽半导体荣获“2023年度最佳功率器件奖”!
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2023-11-01  阅读:814次 ]

10月30日晚,由芯师爷主办的“2023年度硬核芯评选颁奖典礼”在深圳国际会展中心进行。蓉矽半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件”奖项!蓉矽半导体将继续保持自主创新,专注碳化硅(SiC)功率器件设计与研发,推动中国功率半导体产业的发展。

“硬核中国芯”是国内兼具创新性和影响力的评选活动,创办于2019年,迄今已举办四届,是高含金量的中国芯大奖,采用“电子工程师+专家评审”双审评分制,由100位专业评审共同评选打分、超40万电子工程师在线参与投票。该评选活动旨在挖掘、表彰优秀中国芯企业,以专业服务为优秀本土芯企提供新技术、新产品的展示平台及品牌曝光,提升企业在全球范围的影响力,助力中国半导体产业发展。

蓉矽半导体1200V/40mΩ 碳化硅场效应管-NE1M120C40HT荣获“2023年度最佳功率器件奖”,证明了市场对蓉矽半导体在电子设计创新方面的充分肯定。

自主研发,创新突围 | 蓉矽半导体荣获“2023年度最佳功率器件奖”! /attachment/images/2023/11/01/image_1698832240_ShbZH7KK.jpg 蓉矽半导体自主设计、研发的1200V/40mΩ碳化硅场效应管- NE1M120C40HT 荣获“2023年度最佳功率器件”奖项! 2023-11-01 放假通知丨二零二二壬寅虎年 /attachment/images/2022/01/27/image_1643277382_F9D66k7w.png 2022-01-27 新品发布 | 蓉矽半导体1200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET量产 /attachment/images/2023/04/28/image_1682646611_f4E1s8bd.png 蓉矽半导体导通电阻低至12mΩ的SiC MOSFET量产。 2023-04-28 蓉矽半导体SiC场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件! /attachment/images/2023/03/31/image_1680246520_H68843Ne.jpg 蓉矽半导体自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件/宽禁带器件奖项! 2023-03-31 直击慕尼黑华南电子展 | 蓉矽半导体圆满收官! /attachment/images/2022/11/18/image_1668737813_p997Oc25.jpg 2022年11月17日,蓉矽半导体在慕尼黑华南电子展圆满收官。作为参展商,蓉矽半导体携碳化硅二极管和MOSFET系列产品亮相,吸引了众多业内人士驻足交流。 2022-11-18