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直击慕尼黑华南电子展 | 蓉矽半导体圆满收官!
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2022-11-18  阅读:1331次 ]

11月17日,为期三天的慕尼黑华南电子展成功收官。蓉矽半导体作为参展商,携NovuSiC️ 1200V碳化硅二极管和NovuSiC️ 1200V MOSFET系列产品惊艳亮相,现场演示电机驱动,吸引了众多硬科技从业者和产业界人士驻足观看、询问交流。

本次展会展出产品在新能源汽车、直流充电桩、光伏系统等高增量市场表现亮眼。

在20kW直流充电模块中,与硅基器件相比,蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%;降低总损耗50%以上;提升效率约2%,峰值可达97%以上。

在11kW光伏逆变器应用中,相较FRD, NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗,分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。

在500W便携式储能电源应用中,相较FRD,蓉矽半导体理想硅基二极管MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温;在损耗不变的前提下,可提升50%的开关频率,缩小磁性器件体积约30%。

2022年度慕尼黑华南电子展虽已落下帷幕,但蓉矽半导体的前进脚步从未停止,感谢所有到场客户的厚爱与支持,也欢迎新老朋友来电咨询,我们将竭诚为您提供先进解决方案。


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