DuraSiC® MOSFET
DuraSiC®是蓉矽半导体的更高可靠产品系列，该系列严格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)标准考核验证。
产品介绍：DuraSiC® MOSFET阈值电压典型值为2.5V，导通电阻典型值为62mΩ，Ron,sp为3.85mΩ.cm²，可在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，高频应用环境下，能够大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器体积，提高系统整体功率密度，降低系统总成本。
产品亮点：零反向恢复电流、低开关损耗、短路耐受时间>3µs、高雪崩耐量、最高工作结温为175℃ 。
应用领域：光伏 风电 汽车电子 工业电源 储能系统
