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蓉矽半导体SiC场效应管荣获2023中国IC设计成就奖——年度最佳功率器件!
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2023-03-31  阅读:957次 ]

3月30日,由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2023中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海进行。蓉矽半导体自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT荣获“年度最佳功率器件/宽禁带器件”奖项!蓉矽半导体将继续保持自主创新,专注碳化硅(SiC)功率器件设计与研发,推动中国功率半导体产业的发展。

中国IC设计成就奖

2023年是第21年连续举办IC设计调查及奖项评选,因其秉持公正、客观的评选标准,成为我国半导体产业IC设计领域极具公信力的社会品牌,同时是最具专业性和影响力的技术奖项之一,受到业界的广泛认可。“中国IC设计成就奖”分为IC设计公司奖项、热门IC产品奖项、上游服务供应商奖项和分析师推荐奖项四大类,旨在表彰业内优秀的中国IC设计公司、半导体器件和热门IC产品。蓉矽半导体1200V/75mΩ 碳化硅场效应管-NC1M120C75HT获此殊荣,证明了蓉矽半导体在引领电子设计创新中做出的杰出贡献。

碳化硅场效应管

1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT

具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性,在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗,可以提高系统整体功率密度,降低系统总成本,产品特点如下:

1.低比导通电阻:

Ron,sp@(VGS=20V)=4.6mΩ·cm2

2.短路耐受时间>3μs

3.低密勒电容:Cgd=5pF

4.栅氧化层长期可靠,电场强度远小于常规4.0MV/cm限制

5.阈值电压(Vth)高达2.8V,抗串扰能力强

蓉矽半导体

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障,致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”产品系列,涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR,应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证,建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链,严格按照AEC-Q101标准考核验证。

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