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喜讯 | 蓉矽半导体与台湾汉磊科技签订长期战略合作协议 !
[ 来源:蓉矽半导体  时间:2023-02-24  阅读:2002次 ]

近日,成都蓉矽半导体有限公司(下称“蓉矽半导体”)与台湾汉磊科技股份有限公司(下称“汉磊科技”)签订长期战略合作协议,进一步深化了双方在碳化硅SiC制造方面的合作关系。

根据协议,汉磊科技将向蓉矽半导体开放 SiC 工艺平台并将其代工产品优先级列为第一等级。这有力加强了蓉矽半导体供应链保障,促进了碳化硅SiC功率半导体器件的快速发展,从而得以满足日益增长的市场需求,为客户创造更多价值。

关于汉磊

汉磊科技于1985年设立于中国台湾新竹科学园区,是全球第一家Linear Bipolar IC专业代工厂,具备化合物半导体氮化镓 (GaN) 及碳化硅 (SiC)专业代工能力,拥有1座 4/5英寸晶圆厂、2座 6英寸晶圆厂。其中4英寸月产能为1000 pcs、5英寸月产能为8000 pcs,6英寸月产能分别为17 000 pcs和33 000 pcs。SBD/平面结势垒肖特基(JBS)平台良率超过95%,SiC产品极具竞争力。

关于蓉矽半导体

蓉矽半导体成立于2019年,是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业,建立了材料、外延、晶圆制造与封测等环节均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链,打造了高性价比的"NovuSiC"和高可靠性的"DuraSiC"产品系列。涵盖碳化硅二极管EJBS™ (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)与碳化硅MOSFET;硅基FR MOS (Fast Recovery MOS)与175˚C最高工作结温的硅基二极管MCR(MOS-Controlled Rectifier),应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

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